有點基礎電子學常識就不敢這樣騙人﹗﹗﹗﹗

坑巡邏

這個等效電路圖（等我譏笑的電路圖），在全世界所有資料都這樣畫的，這是DRAM的1T1C（一個電晶體一個電容）等我譏笑圖，絕對找不到第二種畫法，這是IBM公司60年前畫出來欺騙世人的詐欺圖。

理論上是電流從BL先流入FET的汲極，由WL控制閘極，將電流經過源極向電容（紅圈）充電，看起來似乎很完美，但在直流電的電路是行不通的，因為沒有直流迴路，電流無法通過電容器充電，就算可以充電，也不能讓汲極逆向讀出，電容的電也不可能憑空消失，成為要一再刷新的反覆充電。

因此，這個電容就是虛構的詐欺手段，全世界60年來幾千萬個磚家碩博士都不懂最基本的電子學？可能有人懂但不敢聲張，因為世界上有電子物理常識又不怕死的人，大概就本坑一個人，隨時都可能被大集團僱殺手幹掉，想想投資胡正明上百億美元的集團，哪捨得幾百億美元打水漂？只要沒人揭發，這個1T1C永遠存在～～～

坑巡邏

台積電，胡正明，魏哲家不是晶片業的翹楚？出來解釋1T1C的理論可好？不要一直當縮頭王八烏龜好嗎？不解釋就去新北地檢署提告本坑妨害名譽，台積電是世界晶圓霸主，豈容公開誣衊？再不然找寫手殺手幹掉本坑～～縮著烏龜腦袋算什麼東西？別告訴本坑是．．．烏龜東西～

坑巡邏

哇哩勒～～～本坑公開認錯～，一時讓Bull Shit繞進去了～


按照等我譏笑電路圖的FET中心線接地的結構，在FET稱為P型半導體基層，請看下圖

P型半導體基層是FET的命脈，也就是又閘極通過金屬層產生導電電荷的部份。在主題的圖示，把這個P型半導體基層接地，那麼FET就玩完了，因為接地後閘極再怎加電壓都不可能產生導電電荷，FET就是死東西～～


胡正明留美Bull Shit叫獸和魏蠢蛋出來說說DRAM的哪一部份接地？電容具體接在哪裡？千萬別告訴本坑你們不知道～～～～