評胡正明的野人獻曝．．．假辦法～﹗

坑巡邏

本坑不是評這本無聊的《拿出辦法來》爛書，不敢出版紙本書就是對書沒信心，怕回不了本，怕一個月就到了舊書攤三折賤賣。

重點在下面的．．．晶片為什麼還能更小、更快、更省電？和改變了晶片的設計與製造。

魏蠢蛋還說胡正明的FinFET改變了摩爾定律，所謂的改變有很多程度的差異，對沒見識小雞肚腸的人，用吸管喝水就是不得了的進步，當然就沒必要和沒眼界的人計較進步多少。本坑只想知道胡正明推翻摩爾定律沒有？

那當然是不可能的是，因為他創造的是FinFET，不是FENT，或者FinFENT，因為FENT是本坑發明的，請注意～﹗不是創造，是按照物理基礎發明完全不同概念的FENT，兩者最大的差別FinFET仍然在漏電，耗電和發熱。本坑的FENT完全不耗電不發熱，比FinFET更快更小，從根本上推翻FET的錯誤觀念。本坑只有初中畢業證書，不但沒學過正規的FET學問，甚至今年初才研究FET這個月初發明了完全不耗電的FENT，請問胡正明改變了半導體什麼？FinFET根本就是．．．野人獻曝的蠢創造，他給張忠謀交代了什麼辦法？張忠謀懂FET嗎？弄個魏呆半導體智障戶都不懂，張忠謀懂屁？

坑巡邏

胡正明用天文數字經費集合上千人力和30多年，搞出這樣的破爛也好意思自吹自擂，本坑一個人不到一年；零經費推翻FET60多年錯誤，發明FENT就瞄死胡正明～～

AI 摘要

鰭式場效電晶體（FinFET）的研發與歷史主要分為早期學術界奠基與後期產業化（以台積電為首）量產兩個階段。其核心研發團隊與經費來源結構如下：
1. 早期學術研發階段（1990年代末）
FinFET 技術最初是在美國大學實驗室中誕生，解決了當時平面電晶體微縮至 35 奈米以下遭遇的嚴重漏電與發熱危機。 [1, 2]

• 關鍵研發團隊： 由加州大學柏克萊分校（UC Berkeley）教授胡正明（後來的「FinFET之父」、中研院院士及台積電首任技術長）主導，率領其柏克萊研究團隊與博士生共同研發。 [1, 2]
• 關鍵研發經費： 該團隊於 1996 年獲得了美國國防高等研究計劃署（DARPA） 的研究經費補助。胡正明教授後續也透過受邀擔任矽谷半導體企業顧問，進一步吸引了更多企業贊助與研究獎助金支持。 [1, 2]
  

2. 產業整合與量產推動階段（2000年代～2010年代）

實驗室成果要走向大規模商業化，需要天文數字的資金與龐大的工程團隊進行製程與軟體整合。 [1, 2]

• 台積電（TSMC）團隊與經費：
  
  • 團隊擴編： 2001年胡正明受邀擔任台積電技術長，將 FinFET 的三維晶體概念與 BSIM 模型帶入台積電研發體系。其學生許夫傑等人後續在台積電設計平台上進行整合。台積電在 2013至2014年 衝刺 16 奈米 FinFET 關鍵時期，大舉擴充了 FinFET 研發團隊與產能。
  • 研發與資本經費： 在 FinFET 架構由 32/28 奈米朝 22/20/16 奈米演進的初期，整個半導體產業在製程開發上就花費了約 20～30 億美元，設置晶圓廠更砸下近 70 億美元。台積電在推動 16奈米 FinFET 定案期間，每年的資本支出高達 95～100 億美元。
  • 開發先進 FinFET 晶片需要跨國團隊協作。例如早期在開發第一顆採用 FinFET 技術的 ARM Cortex-A57 測試晶片時，曾由 ARM、台積電與益華電腦（Cadence）組成 12 人聯合核心工程團隊，背後更有高達 1,000 名研發團隊成員 作為技術後援。
    

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近年（2024~2026年）相關延續計畫

雖然目前最先進製程（如 2 奈米）正逐步轉換至環繞閘極（GAA）架構，但 FinFET（如 3 奈米製程）仍享有長期的市場與可觀的市場規模。目前政府與產學界仍持續投入經費培育相關人才： [1, 2]

• 台灣晶創計畫： 台灣於 2024 年啟動了一項為期 10 年、總經費高達 3,000 億新台幣的計畫，其中一項核心重點即是建置 FinFET、AI、先進封裝的設計環境與培育 IC 設計人才。
  

台積電張忠謀人傻錢多～～